12月12日，在由第三代半导体产业知名媒体与产业研究机构“行家说三代半”主办的2024行家极光奖颁奖典礼上，上海新微半导体有限公司（以下简称“新微半导体”）以其特色的高压（650V）硅基氮化镓功率工艺平台解决方案，荣获“第三代半导体年度优秀产品奖”，成为化合物半导体领域晶圆代工的佼佼者。
近年来，氮化镓作为宽禁带半导体材料的代表，其产业发展势头迅猛。技术的不断进步和规模效应的显现，使得氮化镓相较于硅的性能优势愈发显著。在成本效益方面，氮化镓解决方案的成本也开始展现出对硅的竞争优势，预示着氮化镓时代的到来。
新微半导体的高压（650V）硅基氮化镓功率工艺平台，依托于氮化镓这一宽禁带半导体新材料，并结合公司特色的非金工艺技术，展现出高击穿电压、宽工作温度范围和高工作频率等卓越性能。该平台为客户提供了卓越的代工解决方案，其产品可广泛应用于消费电子快充、新能源汽车、数据中心和储能等多个市场领域，市场潜力巨大。
新微半导体依托强大的研发团队和先进的生产设施，持续推动氮化镓工艺的创新和代工服务品质的提升，为行业的高质量发展注入了新活力。展望未来，新微半导体将进一步加强与产业链上下游合作伙伴的沟通与合作，汇聚产业智慧，共同应对关键挑战，不断拓展第三代半导体技术的应用领域。
