新微半导体提供基于4吋/3吋磷化铟（InP）晶圆与6吋/4吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的全系列光电工艺从外延到制造的代工解决方案。工艺技术涵盖锌扩散、对接生长、多次外延、电子束光刻、电子束镀膜、离子注入+氧化孔径和BCB工艺等关键工艺。以高可靠性的工艺制程为广大客户制造生产高速度、高灵敏度的光电探测器（包括PD、MPD和APD……）等产品,以及覆盖各波段的边发射器（包括FP、DFB和EML……）等产品和垂直腔面反射激光器（VCSEL）等产品。产品可广泛应用于通信、数据中心、人脸识别、光通信、汽车雷达、医疗与消费电子等众多终端应用领域。
垂直腔面发射激光器（VCSEL）是极具发展前景的光发射芯片，其应用范围从最初的光通信领域已扩展到了诸多新兴光传感领域。
新微半导体VCSEL芯片工艺平台拥有高速光通信VCSEL、阵列VCSEL两大工艺平台，可以为光通信、光传感领域的广大客户提供晶圆代工服务。
新微半导体提供基于4吋/3吋磷化铟（InP）晶圆与6吋/4吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的全系列光电工艺从外延到制造的代工解决方案。工艺技术涵盖锌扩散、对接生长、多次外延、电子束光刻、电子束镀膜、离子注入+氧化孔径和BCB工艺等关键工艺。以高可靠性的工艺制程为广大客户制造生产高速度、高灵敏度的光电探测器（包括PD、MPD和APD……）等产品,以及覆盖各波段的边发射器（包括FP、DFB和EML……）等产品和垂直腔面反射激光器（VCSEL）等产品。产品可广泛应用于通信、数据中心、人脸识别、光通信、汽车雷达、医疗与消费电子等众多终端应用领域。
垂直腔面发射激光器（VCSEL）是极具发展前景的光发射芯片，其应用范围从最初的光通信领域已扩展到了诸多新兴光传感领域。
新微半导体VCSEL芯片工艺平台拥有高速光通信VCSEL、阵列VCSEL两大工艺平台，可以为光通信、光传感领域的广大客户提供晶圆代工服务。
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