2023年2月28日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）宣布，基于砷化镓（GaAs）材料的IPD（Integrated Passive Devices）集成无源器件IP2AB11工艺制程开发完成，达到量产标准。该制程具备的低成本、小型化、高Q值和高可靠性等性能优势，满足当前市场对射频前端功能不断优化的要求，从而实现如微波滤波器、功率分配器、耦合器、双工器、放大器内匹配与偏置网络等多种无源电路的小型化与高密度集成，可广泛应用于通信基站、微波和毫米波通信等应用领域。
IP2AB11工艺制程使用双层金属互连线，其中第二层金属厚度为4μm,采用有利于高频设计的空气桥工艺，可以有效减少交叉线间的耦合并降低对地寄生电容。
IP2AB11工艺制程关键参数
IP2AB11工艺制程横截面图
IP2AB11工艺制程典型无源元器件示例图
随着微电子技术不断发展，电子产品对于SWaP-C（Size Weight and Power – Cost)要求日新月异，IPD技术是一种具有高Q值、低损耗特征的射频集成电路技术，既可以作为无源模块单独使用，集成到射频设备或系统中，也可以集成有源器件形成更为复杂功能模块，满足专用电路的设计需求。
