上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）今日宣布，包括MPD（Monitor Photodetector）、10G-25G PD（Photodetector）及56G Pulse Amplitude Modulation 4-level (PAM4) PD在内的系列光电探测器工艺平台开发完成，具有高响应度、高灵敏度、高速度和低暗电流等特性，可为客户提供低成本、低功耗和高效的芯片解决方案，产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等众多终端应用领域。
新微半导体拥有一套完整的先进工艺制程与特色工艺解决方案。基于磷化铟（InP）材料的10G-25G PD与MPD工艺平台，涵盖外延生长、锌扩散、步进式光刻和侧壁处理等关键工艺。基于该平台生产的用于GPON、XGPON和Combo PON OLT的光接收芯片，其特性与后端跨阻放大器等电路在电特性上有良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等。
MPD
MPD光电特性参数（T=25℃）：
25G PD
25G PD光电特性参数（T=25℃）：
56G PAM4
56G PAM4光电特性参数（T=25℃）:
新微半导体还通过自主外延研发与量产工艺线研发了3吋及4吋InP基探测器外延晶圆工艺技术、锌扩散外延晶圆工艺技术以及带原位p型掺杂的全结构InP基探测器外延晶圆工艺技术，满足了光通信与传感识别客户对外延产品定制化需求。其中10G-25G PD 4吋晶圆外延片是中国大陆首次利用4吋InP基光芯片量产线验证研发的4吋InP基光电外延片。
在产品质量方面，新微半导体拥有一套完整全面的质量管理体系，从物料管理到工艺流程记录检验，可实现工艺过程全追溯，并配有到TO、模块级的封装测试及老化测试系统，确保了产品一致性、工艺技术稳定性的优势。新微半导体亦提供设计支持服务与晶圆测试等增值服务以加快客制产品进入市场的时间，为客户创造更高的商业价值。
新微半导体致力于最大程度降低产品集成复杂性、成本并缩短交付周期，同时公司还建立了PD/APD探测器高低温暗电流、带宽及响应度晶圆级测试能力。未来，新微半导体光电芯片产品将从高速PD向高速高灵敏度APD以及集成光电接收芯片发展，为接入网及传输网等基础设施建设贡献“芯”力量。
