在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器（包括FP、DFB和EML等）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）和高灵敏度的光电探测器（包括PD、MPD和APD等）工艺平台。产品可广泛应用于光通讯、数据中心、人脸识别、汽车雷达、医疗与消费电子等众多终端应用领域。
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台。凭借高响应度、高灵敏度、高速度和低暗电流等优异性能，为客户提供低本高效的解决方案。产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）材料体系的、中心波长覆盖600nm-2100nm的FP/DFB工艺平台，包括最大功率可达50W的FP工艺平台和2.5G/10G/25G的DFB工艺平台，拥有高功率、宽调谐范围和窄线宽等卓越的性能特征，产品可广泛应用于气体探测、医疗美容和精密测量等领域。
新微半导体提供4/6吋砷化镓（GaAs）材料体系的VCSEL工艺平台，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陈列VCSEL两大类型。光通信VCSEL工艺平台具有高效光耦合、高速调制和低功耗等诸多优势；阵列VCSEL工艺平台拥有低成本、高功率和高良率等卓越优势。产品可广泛应用于数据中心、人脸识别和激光雷达等诸多应用领域。
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）晶圆与4/6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的全系列光电工艺从外延到制造的代工解决方案。 工艺技术范围涵盖锌扩散、对接生长、多次外延、电子束光刻、ECR处理光学镀膜、离子注入+氧化孔径和BCB工艺等关键工艺。公司可以为广大客户提供高速度、高灵敏度的光电探测器（包括PD、MPD和APD等）、覆盖各波段的边发射器（包括FP、DFB和EML等）以及垂直腔面发射激光器（VCSEL）等众多工艺平台。产品可广泛应用于光通信、数据中心、消费电子、汽车雷达与医疗等众多终端应用领域。
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台。凭借高响应度、高灵敏度、高速度和低暗电流等优异性能，为客户提供低本高效的解决方案。产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）材料体系的、中心波长覆盖600nm-2100nm的FP/DFB工艺平台，包括最大功率可达50W的FP工艺平台和2.5G/10G/25G的DFB工艺平台，拥有高功率、宽调谐范围和窄线宽等卓越的性能特征，产品可广泛应用于气体探测、医疗美容和精密测量等领域。
新微半导体提供4/6吋砷化镓（GaAs）材料体系的VCSEL工艺平台，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陈列VCSEL两大类型。光通信VCSEL工艺平台具有高效光耦合、高速调制和低功耗等诸多优势；阵列VCSEL工艺平台拥有低成本、高功率和高良率等卓越优势。产品可广泛应用于数据中心、人脸识别和激光雷达等诸多应用领域。
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