2023年5月18日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6吋/150 mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的无金工艺和集成电路互联，支持Through-GaN-Via（TGV）和Circuit-Under-Pad （CUP），相比传统的硅基功率芯片，具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更小的尺寸。

基于该工艺平台生产的功率器件凭借低栅极、低导通电阻和高可靠性等众多优势，为低压功率转换场景提供更小物理尺寸、更轻重量和更节能的解决方案。凭借这些优秀的特征，该工艺平台可为终端应用市场提供具有卓越品质、更小面积和更低成本的功率产品，可广泛用于手机、平板电脑和笔记本电脑等终端领域。

40 V氮化镓功率器件截面示意图

 新微半导体40 V氮化镓功率器件工艺平台拥有较大的工艺窗口，并具有良好的一致性和稳定性的工艺保障。其采用的无金工艺，RC < 0.4 Ω·mm；栅极采用自对准工艺，使得栅极形貌良好，且最小线宽低至0.5µm。同时还采用了（接触孔钨）钨栓、晶圆表面全局平坦化（CMP）等集成电路互联工艺，并支持Circuit-Under-Pad。其优良性能获得客户的高度认可，已成功导入多家客户设计。

基于该工艺制备的器件典型参数

基于该工艺制备的器件局部图

新微半导体还拥有自己的功率外延技术。该技术采用了业界广泛应用的硅基氮化镓异质外延以降低成本。由于氮化镓和硅具有较大的晶格失配以及热膨胀系数的差异，因此高品质的6吋硅基氮化镓外延极具挑战。新微半导体外延技术团队通过应力调控、有源层设计等技术，针对多种不同应用场景开发出高质量6吋硅基氮化镓外延工艺，实现了低缺陷密度的硅基氮化镓外延，可满足高、低压多种功率器件应用。

6吋硅基氮化镓功率外延结构示意图及外延层厚度map图

开局即冲刺，新微半导体氮化镓功率器件工艺平台跑出加速度。新微半导体将陆续推出100V、150V和650V等中、高压功率器件量产工艺，凭借高效、高频和高可靠性等卓越特征，助力广大客户在消费类、工业、通信等多个应用领域中大放异彩。敬请期待。