1. 负责基于GaAs，GaN基工艺的射频/微波PA与LNA MMIC（设计仿真、优化迭代、内部模型评测）。

负责GaAs，GaN射频器件与芯片微电子组装工艺，主要从事金丝键合、EVB/COB电路粘接、共晶与环氧粘片。

1.     负责III-V族化合物半导体器件的物性失效分析工作。

2.     指导实验室操作人员进行电镜样本分析，包括实际制样、上机测试及结果分析。

3.     负责开发III-V族化合物半导体的透射电镜应用及相关技术。

1、负责化合物半导体砷化镓/氮化镓基“在片”与“封装”MMIC功能芯片与器件射频参数表征与射频参数测试。

2、负责MMIC功能芯片与射频器件相关的自动化测试程序集开发，维护自动化测试程序集开发，优化迭代方案。

3、负责测试仪器导入与文档建立。

1. 负责基于KEYSIGHT ADS平台的化合物半导体砷化镓/氮化镓 /磷化铟工艺的微波/毫米波频段射频PDK器件模型研制、优化迭代、评价验证以及生成与维护。

2.负责制定射频低噪声与高功率等器件PDK模型（有源器件与无源元器件）参数表征、评测验证解决方案，并指导射频测试工程师实施；

3. 负责协助项目团队完成器件PDK模型项目设计、项目论证、项目申报、项目实施及项目考核与项目验收，以及相关研制、测试、质量等文档工作；

4.负责联合设计团队完成MMIC器件模型优化迭代与评测验证；

5.负责协助AE团队跟踪和解决与用户对接过程中相关技术问题。

1、 负责射频器件新产品相关设计方案的可行性分析及具体实施；

2、 负责射频新产品、新工艺流程、新测试方案等相关内容的拟制；
3、 负责制定和建立射频器件新产品开发流程；
4、 负责射频产品新工艺的研发、Short Loop 流片，以提高工艺先进性和稳定性，针对新工艺所遇到的问题，提供解决方案；
5、 制定相关新工艺定型规格，负责进行设备新工艺Recipe建立与调试，工艺窗口的建立，以保证工艺研发质量，完成新产品开发与评估的相关工作；
6、 负责射频产品的关键材料理论与技术研究；
7、 为新产品批量生产建立必要的系统程序；进行新产品批量生产中工艺异常分析、追查与改进。