校招流程

校招行程

时间 学校 宣讲地点
2022年9月8日 15:00-17:00 电子科技大学 线上宣讲会-腾讯会议ID:102-615-751
2022年9月14日 18:30 华中科技大学 大学生活动中心B座304
2022年9月22日 19:00 北京半导体所 腾讯会议:959-962-580
2022年09月13日 14:00 上海科技大学 信息学院1D-104
2022年9月19日 16:00 长春理工大学 待定
2022年9月20日 14:00 长春光机所 待定
2022年9月26日14:00-17:00 合肥工业大学 合肥工业大学翡翠湖校区科教大楼A座第五会议室
2022年9月28日 14:30 苏州纳米所 D111教室
2022年9月29日 15:00 东南大学 腾讯会议:347-535-490
  • 射频设计工程师工程中心

    硕士及以上学历中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

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    主要职责(Responsibility):

    1. 负责基于GaAs,GaN基工艺的射频/微波PA与LNA MMIC(设计仿真、优化迭代、内部模型评测)。


    任职资格(Qualification):

    硕士及以上学历,通信工程、半导体物理、电子科学与技术、电磁场与微波技术,微电子学与固体电子学、集成电路相关专业

    邮箱投递通道:姓名+岗位发送word或PDF格式简历至邮箱: jl.shen@advanced-microsemi.com

  • 射频微组装工程师工程中心

    本科及以上学历中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

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    主要职责(Responsibility):

    负责GaAs,GaN射频器件与芯片微电子组装工艺,主要从事金丝键合、EVB/COB电路粘接、共晶与环氧粘片。


    任职资格(Qualification):

    本科及以上学历,电子、通信、计算机、自动化相关专业

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  • 失效性分析工程师工程中心

    硕士及以上学历

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    主要职责(Responsibility):

    1.     负责III-V族化合物半导体器件的物性失效分析工作。

    2.     指导实验室操作人员进行电镜样本分析,包括实际制样、上机测试及结果分析。

    3.     负责开发III-V族化合物半导体的透射电镜应用及相关技术。



    任职资格(Qualification):

    具有材料科学、微电子学与固体电子学等相关学科的硕士或博士研究生学位。

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  • 射频测试工程师工程中心

    硕士及以上学历中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

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    主要职责(Responsibility):

    1、负责化合物半导体砷化镓/氮化镓基“在片”与“封装”MMIC功能芯片与器件射频参数表征与射频参数测试。

    2、负责MMIC功能芯片与射频器件相关的自动化测试程序集开发,维护自动化测试程序集开发,优化迭代方案。

    3、负责测试仪器导入与文档建立。


    任职资格(Qualification):

    硕士及以上学历,通信工程、半导体物理、电子科学与技术、电磁场与微波技术,微电子学与固体电子学、集成电路相关专业

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  • 射频PDK建模工程师工程中心

    硕士及以上学历中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

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    主要职责(Responsibility):

    1. 负责基于KEYSIGHT ADS平台的化合物半导体砷化镓/氮化镓 /磷化铟工艺的微波/毫米波频段射频PDK器件模型研制、优化迭代、评价验证以及生成与维护。

    2.负责制定射频低噪声与高功率等器件PDK模型(有源器件与无源元器件)参数表征、评测验证解决方案,并指导射频测试工程师实施;

    3. 负责协助项目团队完成器件PDK模型项目设计、项目论证、项目申报、项目实施及项目考核与项目验收,以及相关研制、测试、质量等文档工作;

    4.负责联合设计团队完成MMIC器件模型优化迭代与评测验证;

    5.负责协助AE团队跟踪和解决与用户对接过程中相关技术问题。


    任职资格(Qualification):

    硕士及以上学历,通信工程、半导体物理、电子科学与技术、电磁场与微波技术,微电子学与固体电子学、集成电路相关专业

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  • GaAs射频研发工程师射频BU

    硕士及以上学历中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

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    主要职责(Responsibility):

    1、 负责射频器件新产品相关设计方案的可行性分析及具体实施;

    2、 负责射频新产品、新工艺流程、新测试方案等相关内容的拟制;
    3、 负责制定和建立射频器件新产品开发流程;
    4、 负责射频产品新工艺的研发、Short Loop 流片,以提高工艺先进性和稳定性,针对新工艺所遇到的问题,提供解决方案;
    5、 制定相关新工艺定型规格,负责进行设备新工艺Recipe建立与调试,工艺窗口的建立,以保证工艺研发质量,完成新产品开发与评估的相关工作;
    6、 负责射频产品的关键材料理论与技术研究;
    7、 为新产品批量生产建立必要的系统程序;进行新产品批量生产中工艺异常分析、追查与改进。


    任职资格(Qualification):

    1、硕士及以上学历,材料、物理、微电子、半导体、集成电路等相关专业;

    2、有GaAs射频器件研发经验者优先

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