依据GaAs，GaN III-V族工艺线不同工艺制程的芯片，进行模型开发、参数提取、模型拟合、PDK代码维护。
1、微电子相关专业本科以上学历，研究生优先；
2、熟悉GaAs pHEMT、GaN HEMT工艺相关射频器件模型及器件建模流程，有模型应用后的量产经验和三年以上工作经验者优先；
3、熟练使用射频器件建模用测试仪表及平台，如矢量网络分析仪、半导体参数分析仪、探针台、负载牵引系统、噪声牵引系统等；
4、熟练使用ADS、ICCAP、MBP等EDA软件，了解TCAD优先；
5、熟练掌握ADS 和Candence PDK编程者优先；
6、有编程经验，熟悉PSPICE、PYTHON、VerilogA/ASM等语言优先；
7、具有良好的团队合作精神，具备专业英语阅读能力。具有较强的分析问题和解决问题的能力，具备独立工作的能力；责任心强，善于沟通，为人诚实，做事认真仔细。
邮箱投递通道：姓名+岗位发送word或PDF格式简历至邮箱： jl.shen@advanced-microsemi.com
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