2025年6月17日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）正式发布基于砷化镓（GaAs）的高速和阵列光电探测器（PD, Photodetector）工艺平台。该平台具备低暗电流、低电容、高响应度、高带宽及高可靠性等优越性能，其发布标志着新微半导体在高速数据通信与光通信领域业务板块的进一步拓展，可以为客户提供更丰富、更高效和更可靠的光电解决方案。

在性能表现上，该工艺平台代工的产品能够在 -40℃ 到 85℃ 的宽温范围内稳定运行，确保设备在严寒、高温等严苛环境下的性能一致性，保障终端设备可靠运行。在可靠性验证上，其代工产品已通过Telcordia GR468可靠性标准测试，涵盖HTOL（高温工作寿命）、ESD（静电放电）、T/C（温度循环）及THB（高温高湿寿命）等关键测试项目。在175℃的HTOL测试以及THB（温度 85℃、湿度 85%RH）测试环境中，施加 -5V 偏置电压条件，三批产品（抽样标准 77 颗样品）经过 2000 小时老化后，均实现零失效，产品可靠性满足通信级标准。

新微半导体的GaAs PD代工工艺平台采用了 4 英寸GaAs/AlGaAs异质结外延技术，结合深台面刻蚀、侧壁钝化及BCB/PBO平坦化等关键工艺。这不仅确保了产品的一致性与稳定性，还易于实现规模化量产，有效降低生产成本。更值得一提的是，通过与公司的垂直腔面发射激光器（VCSEL）工艺平台协同优化，可为客户提供高性价比、低功耗的收发组合解决方案，助推高速传输网络建设与光电行业高效化发展。

作为业内少数具备砷化镓、磷化铟探测器和激光器双工艺平台的晶圆代工企业，新微半导体已构建从外延生长、晶圆制造到可靠性验证的全链条服务能力，全方位满足客户多样化需求。本次GaAs PD工艺平台的推出，将进一步巩固新微半导体在光电通信领域的竞争力，通过优质代工服务助力客户抢占市场先机，共拓通信产业新未来。